Prof.ssa LUCIANA DI GASPARE
| Qualifica | Professore Associato |
| Settore Scientifico Disciplinare | FIS/03 |
| Cellulare aziendale | 82027 |
| luciana.digaspare@uniroma3.it | |
| Indirizzo | Via della Vasca Navale 79 |
| Struttura/Afferenza |
|
| Altre informazioni | Sito web personale Curriculum |
Per telefonare da un edificio dell'Ateneo all'altro SE il numero unico inizia con "06 5733xxxx" basta comporre le ultime quattro cifre del numero esteso.
Profilo
Titoli e cariche
Membro della Commissione Didattica permanente di Ottica e Optometria e fisica della materia Vicario del Coordinatore della Commissione didattica permanente in Ottica e Optometria Membro della Commissione Orientamento
Didattica
Fisica dei Solidi e delle nanostrutture (Modulo nanostrutture)
Fisica sperimentale 1 per il corso di Scienze Geologiche
Laboratorio di Calcolo per l'Ottica
Ottica della Visione.
Ricerca
L'attività di ricerca di Luciana Di Gaspare si è focalizzata su diversi campi della fisica della materia condensata, con contributi innovativi in campi quali la crescita epitassiale di eterostrutture di semiconduttori IV-IV di alta qualità mediante deposizione chimica in fase di vapore, studio del trasporto quantistico in dispositivi a bassa dimensionalità, proprietà ottiche, elettroniche e strutturali di interfacce ed eterostrutture di semiconduttori mediante spettroscopie di fotoemissione e tecniche di diffrazione, grafene su sistemi Ge. Ha una competenza rilevante nel campo della progettazione e sviluppo di apparati di crescita CVD. Dal 2000 la sua attività di ricerca è principalmente legata alla crescita di eterostrutture SiGe/Si mediante UHV-CVD per la realizzazione di buche quantiche, 2DEG, nanodispositivi nonché allo studio delle loro proprietà ottiche e di magnetotrasporto. Negli ultimi 4 anni si è principalemente focalizzata sulla crescita di eterostrutture di SiGe ad alto contenuto di Ge e sulla loro caratterizzazione strutturale ed ottica per lo sviluppo di un laser a cascata quantica basato su Si operante nella gamma dei THz. Un campo di ricerca parallelo sviluppato di recente riguarda la crescita CVD del Grafene su Ge, attività dedicata allo studio dell'impatto della temperatura di crescita, del flusso precursore di CH4 e dell'orientamento del substrato di Ge sulla qualità del film di grafene.